3.5.3. Radna memorija

RAM (Random Access Memory) je RADNA MEMORIJA računala, memorija sa slučajnim pristupom, odnosno pozvani program ne mora se pri ponovnom učitavanju upisati na iste memorijske lokacije, jer je u međuvremenu dio njih okupiran nekom drugom zadaćom. RAM nije u stanju dugo pamtiti sadržaj, osim u specijalnim tehnološkim izvedbama - SRAM (Static RAM), te se posredstvom DMA sklopova vrši osvježavanje (obnavljanje) zapamćenog sadržaja. Otud naziv DRAM (Dynamic RAM). Osvježavanje memorije oduzima oko 5% vremena u komunikaciji između pojedinih sklopova računala. Veličina radne memorije od velikog je značaja za uporabljivost računala. RAM čipovi umeću se u posebne za to predviđene utore od kojih svaki najčešće predstavlja jednu 'banku memorije' ili pak više utora sa čipovima tvore jednu banku. Česta oznaka modula je SIMM (Single In-line Memory Module) s najčešće 30, 72, 144, 168 ili 240 pin-ova na modulu za priključak u utor, ovisno o izvedbi i vrsti. Logička organizacija pristupa modulima izvodi se po 'bankama'. Memorija se dijeli u banke memorije a svaka od banaka može obuhvaćati jedan ili više modula. Važno je da banka mora biti 'puna', odnosno ako je predviđeno da banka obuhvaća dva utora, oba dva moraju biti 'napunjena' s modulima. Računalo će raditi ako ima barem jednu 'napunjenu' banku.

Pristup memoriji organiziran je kao dohvat memorijske čelije u matrici stupaca i redaka te se prije samog dohvata podatka treba signalom redka RAS (Raw Address Strobe) i stupca CAS (Column Address Strobe) odrediti koja je čelija u pitanju te je tek tada moguće očitati njen sadržaj. DRAM po očitavanju gubi sadržaja te se prije 'napuštanja' čelije sadržaj mora ponovo upisati. Vrijeme potrebito za određivanje stupca i redka i dohvat podatka naziva se vrijeme pristupa (access time) i iznosi obično od 7ns do 70ns za DRAM, a manje od 1ns za SRAM. Vremenu pristupa treba kod DRAM pridodati i vrijeme ponovnog upisa podatka te se dobije trajanje CIKLUSA MEMORIJE.

Kako je SRAM mnogo skuplji od DRAM, ali i brži, DRAM se koristi kao radna memorija za obrade, a SRAM kao brza priručna memorija (cache) koja služi mikroprocesoru za interne radnje kao privremeno skladište podataka dok se ne omogući pristup sporijem DRAM-u, a koristi se i kao međumemorija u komunikaciji sa stalnom memorijom (tvrdi disk i slično).

Slika 3.5.10 Načelo rada upravljača priručne memorije.

Distribuciju između SRAM, DRAM i mikroprocesora obavlja upravljač priručne memorije. Slično načelo može se koristiti za ubrzavanje čitanja i upisivanja podataka na tvrdi disk. No ako programska potpora ne prepoznaje da li su podaci pohranjeni u priručnoj memoriji ili na tvrdom disku i ne vrši blagovremeno pohranjivanje iz priručne memorije na disk može doći do gubljenja podataka po prekidu rada programa. Stoga je dobro sustav organizirati na način da priručna međumemorija dijeluje samo u postupku čitanja podataka s tvrdog diska.

Primjer IV

Elektronička izvedba ROM-a u diodnoj i MOS tehnologiji.

Slika 3.5.11 Matrica ROM-a izvedena u diodnoj i MOS tehnologiji.

Diode su elektronički elementi koji provode struju u smjeru A - +K, a u smjeru K - +A ne provode. A i K su početna slova naziva elektroda diode (anoda, katoda). Ako je mikroprocesor preko adresnog dekodera poslao napon na adresni vod, pojaviti će se napon samo na onim vodovima čitanja koji su preko diode vezani za adresni vod pod naponom. Na vodovima čitanja pojavljuje se binarna kombinacija 'napona' koja odgovara jednom od adresnih vodova pod naponom.

Ne može se istovremeno adresirati više adresnih vodova već se očitavanje sadržaja mora obaviti vod po vod (adresu po adresu). Ako bi bilo osam vodova čitanja na njima bi se pojavile različite osam bit-ne kombinacije napona u zavisnosti od adrese i kombinacija dioda.

Slično se ponašaju MOS elementi koji uzemljuju vod čitanja ako se na adresnom vodu pojavi napon. Načelo rada MOS tranzistora najlakše je predočiti kao rad ventila koji provodi u smjeru S - +D pod kontrolom napona na G. S, D i G prva su slova naziva elektroda MOS tranzistora (source, drain, gain).

Pri izradi PROM-a serijski se uz diodu (ili MOS tranzistor) postavlja taljiva veza koja se pomoću punioca prekida na potrebnim mjestima kako bi se dobile odgovarajuće kodne kombinacije za pojedine adresne vodove.

Na sličan način organizira se i matrica RAM-a s razlikom da je uz čitanje omogućeno i upisivanje pod kontrolom jednog ili dva adresna voda za svaki memorijski element. Mada se memorije mogu izraditi i drugačijim tehnologijama od MOS tehnologije, nijedna od njih ne daje tako malu potrošnju električne energije i broj elemenata po volumenu. Gotovo svi sklopovi računala izrađuju se u MOS tehnologiji.

Primjer V

Elektronička izvedba SRAM memorijske čelije.

Slika 3.5.12 Memorijski element statičke radne memorije.

Pamćenje električnog napona omogućavaju tranzistori T3 i T4 kojima su vlastiti ulazi povezani s izlazom drugoga te su im stoga izlazi na otporima R uvijek suprotne razine. Na taj način ostvaruje se da jedan tranzistor vodi a drugi ne vodi struju i u zadržavanju tog stanja međusobno se podržavaju. Stanje oba tranzistora može se izmjeniti samo vanjskim utjecajem. Izmjena se vrši tako da adresni vod upisa i čitanja (W - Word line) omogući provođenje tranzistora T1 i T2, a preko voda upisa (BL - Bit line) postaviti će se naponska razina (0 ili 1 simbolički) koju će T3 prihvatiti. T4 će automatski uzeti suprotnu razinu od T3. Par T3 i T4 zadržati će postojeće stanje sve dok ima napajanja strujom (+U) i dok se ne dovede na T3 razina napona njemu suprotna.

Očitavanje stanja je slično. Napon na adresnom vodu omogućiti će da provedu tranzistori T1 i T2 te da se razina T4 prenese na vod očitavanja (non BL) te potom na jedan od vodova sabirnice podataka.

Dakle, memorijska čelija pamti stanje koje je u njoj pohranjeno sve dok ima izvora energije ili dok se stanje ne promjeni. Kako su vodovi čitanja odvojeni od vodova upisa odmah se može očitavati svaka promjena u memorijskoj čeliji što pridonosi većoj ukupnoj brzini rada.

Primjer VI

Elektronička izvedba DRAM memorijske čelije:

Slika* 3.5.13 Memorijski elementi dinamičke radne memorije.

Element pamćenja ove čelije je naboj na kondezatoru C. Napon na adresnom vodu omogućiti će provođenje tranzistora T te da se preko voda upisa i čitanja (BL) nabije kondezator C. Ako se stanje kondezatora želi očitati preko adresnog voda upisa i čitanja (W) omogućiti će se provođenje tranzistora T i naboj na kondezatoru C postavlja na vodu upisa i čitanja naponsku razliku. Kako se kondezator pri tome prazni treba obnoviti njegov naboj (precharge), odnosno ponovno upisati sadržaj. No kako se naboji na kondezatorima čelija bez obzira na očitavanje vremenom gube potrebito je u pravilnim vremenskim razmacima izvršiti OSVJEŽAVANJE (REFRESH) sadržaja cjelokupne memorije.

Izvedbe DRAM kao što su Rambus DRAM - RDRAM i Synchronous DRAM - SDRAM imaju osobitost da pod nadzorom chipset-a rade u sinkronizaciji s vanjskom sabirnicom mikroprocesora - FSB (Front Side Bus) te se ubrzava razmjena podataka između mikroprocesora i njih. SDRAM je tip memorije koji obečava u verziji DDR (Double Data Rate) memorije koja radi po načelu očitavanja stanja ćelija prilikom promjene stanja taktnog impulsa (od "1" u "0" ili od "0" u "1"), a ne na osnovu očitavanja stanja memorije po uspostavljenom stanju taktnog impulsa, te im otuda udvostručena brzina. Izrađuju se u verzijama DDR1 (200-550 MHz), DDR2 (500-667 MHz), i DDR3 (800-1066 MHz) i razvijene s u svrhu povećanja radne brzine kako bi se brzina očitavanja memorije izjednačila s brzinom vanjske FSB sabirnice mikroprocesora. Osim toga svaka naredna serija radi s manjim radnim naponima te stoga manjom potrošnjom. Potrošnja izravno ovisi o tome koliko je memorijskih chip-ova ugrađeno u memorijski modul. Memorijski kapacitet samih modula vrlo je raznolik i zavisi od vrste memorijskog modula i mogućnosti chipset-a. U dokumentaciji matične ploče navodi se kakvi moduli moraju biti te koliko i kako ih se može uporabiti.